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免费足球预测(www.hgbbs.vip)_国产芯片欲弯道超车:曝长江存储跳过192层闪存 直接切入232层

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2016年成立的长江存储,于2017年通过自主研发和国际合作的方式,设计制造了首款3D NAND闪存。2019年,长江存储晶栈 Xtacking架构的第二代3D TLC闪存量产,2020年,第三代TLC/QLC研发成功,推进到128层3D堆叠。

在闪存领域,通常将堆叠层数视作技术先进程度的指标。

DT报道称,业内人士给出消息称,长江存储计划跳过192层,直接切入232层闪存生产。

这是什么概念?

根据此前韩国研究机构OERI的一份报告,其表示中韩闪存技术差距目前已经缩短至两年,理由是三星和SK海力士明年初会量产超200层闪存,长江存储则要到2024年,现在来看,它们低估了长江存储的技术储备。

另外,此前传出长江存储有望打入苹果供应链,为iPhone等产品供货闪存的说法,倘若最终实现,那么无疑将有着打破产业格局的动能。

如需转载请务必注明出处:快科技

话题标签:闪存长江存储芯片

  • 澳洲幸运5(www.a55555.net) @回复Ta

    2022-08-02 00:09:59 

      可以观察到消费板块的盈利增速预期正逐渐触底,同时盈利预期的分歧度却开始逐步抬升,这意味着市场对消费预期的改善仍处于早期阶段且预期的改善才刚开始反应至股价,消费正处最佳的布局窗口。没有花里胡哨,又好看

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